Image default
Железо

SK hynix запустила массовое производство 238-слойных чипов NAND — они подойдут для PCIe 5.0 SSD

SK hynix доложила о запуске в мае массового производства 238-слойной памяти 4D NAND, на основе которой будут выпускаться твердотельные накопители нового поколения с более высокими скоростью и ёмкостью. Новые чипы обеспечивают передачу данных в 2400 МТ/с, закладывая основу для высокопроизводительных SSD с интерфейсом PCIe 5.0 x4 и скоростью последовательного чтения/записи 12 Гбайт/с и выше.

 Источник изображения: skhynix.com

Источник изображения: skhynix.com

Скорость интерфейса в 2400 МТ/с является, пожалуй, ключевым показателем для 238-слойных чипов TLC NAND от SK hynix — это на 50 % быстрее интерфейса чипов предыдущего поколения, которые при 1600 МТ/с едва ли могут раскрыть потенциал PCIe 5.0 x4. На 34 % повышается экономическая эффективность компонентов в сравнении со 176-слойными аналогами: если принять, что производителю удалось обеспечить сравнимые показатели выхода годной продукции, то с 238-слойными чипами TLC NAND стоимость гигабайта снизится на те же 34 %. Помимо сокращения физических размеров готовых устройств, энергопотребление памяти нового поколения при чтении уменьшается на 21 %.

Предложенное производителем маркетинговое обозначение новых чипов как 4D NAND на самом деле означает, что в них используются технология ячейки с ловушкой заряда (Charge Trap Flash — CTF) и запатентованная производителем компоновка с переносом логики под массив ячеек (Peripheral Under Cells — PUC). Готовые продукты на 238-слойных чипах NAND дебютируют на рынке как накопители для смартфонов, после чего начнут использоваться и в других устройствах. В SK hynix добавили, что на доходы компании продукты нового поколения начнут оказывать влияние уже во второй половине года.

Источник: 3dnews.ru

Related posts

Streacom показала корпус SG10 для систем на i9-13900K и RTX 4080 с пассивным охлаждением

SoftBank рассчитывает сохранить контроль над 90 % акций Arm после IPO

Производители чипов активно сокращают объёмы выбросов